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采用射频离子源+中和器协同技术，能够实现氧化硅、氮化硅、金属、半导体等材料的精密刻蚀的设备。配备智能温控与多气体协同模块，兼容多种刻蚀工艺配方，操作简单且维护成本低。
产品参数
主要功能：
样品台具有加热和倾斜功能，温控范围为5℃到40℃，温控分辨率可达到0.1℃；倾斜范围为0o到60o，角度分辨率可达到1o；
设备可加工最大8英寸的晶圆基材，基材可兼容Si、SiO2、SiNx、金属Cr等多种材料；
以二氧化硅为例，刻蚀速率可达60nm/min；
8寸晶圆上刻蚀均匀性优于±5%；
设备配置控制软件，可保存不少于100组工艺参数，具有自动调节射频匹配功能。
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